ASML本日发布公告称，近日江苏省满意度调查公司，荷兰政府部分驱除了此前颁发的NXT:2050i和NXT:2100i光刻机在2023年发货的出口许可证，这将对咱们在中国的个别客户产生影响。

ASML瞻望，这次出口许可证驱除及最新的好意思国出口管制截止不会对咱们2023年的财务情况产生紧要影响。

他们在公告中示意，在近期与ASML的疏通中，好意思国政府对其出口管制的适用范围和影响进行了进一步久了。好意思国2023年10月17日发布最新出口管制章程，截止向个别先进芯片制造晶圆厂发运特定型号的中高端DUV浸润式光刻机。

ASML重申，将握续极力于于盲从规划场所国度/地区总共适用的法律和法例，包括出口管制法例。

01

当先的DUV光刻机

据ASML先容，TWINSCAN NXT:2050i 是一款高分娩率、双级浸没式光刻用具，专为在先进节点批量分娩 300 毫米晶圆而遐想。

TWINSCAN NXT:2050i 基于面向异日的 NXT4 平台而构建，冲突了访佛截止，并为浸没式光刻系统提供了无与伦比的分娩力。

TWINSCAN NXT:2050i 是起先进的浸没式光刻系统遐想与先进镜头遐想的聚集，其数值孔径 (NA)为 1.35，这是目前半导体行业中最高的。

该步进扫描系统是一款高分娩率的双级用具，专为批量分娩而遐想。

通过将高分娩率与前所未有的遮蔽性能相聚集，该系统欢乐了多种图案化条目，为在先进逻辑和 DRAM 节点制造 300 毫米晶圆提供了经济高效的处理决策。

TWINSCAN NXT:2050i 正在进步半导体分娩力，每小时粗略分娩 295 片晶圆。与早期的TWINSCAN系统比较，该系统减少了料理时候，每天粗略特等委派 400 至 500 个晶圆 。重新遐想的晶圆台配备了更矫健的电机，粗略更快地加快并更准确地奉行认识。

TWINSCAN NXT:2050i 承袭新式浸入式罩，可减少水分流失，赫然进步劣势性能。这意味着通过减少放慢来进步产物产量和分娩率。

该系统承袭 1.35 NA 193 nm 折反射投影镜头，可已矣低至 40 nm（C-quad）和 38 nm（偶极）的分娩折柳率，并承袭提拔全 26 x 33 mm 视场尺寸、4X 减弱和十字线的串联遐想与现存遐想的兼容性。

该系统的透镜元件配备了主宰器来矫正光学像差，从而已矣低 k 1的最大分娩率成像。镜头指纹现已进行高密度优化，可匹配EUV。

并行 ILIAS (PARIS) 传感器不错并行测量总共这个词投影狭缝的光学像差，从而已矣更精准的瞄准、增强的标线加热矫正和即时透镜加热矫正。TWINSCAN NXT:2050i 使用的 PARIS 传感器对传感器安设座进行了改进，从而已矣了更好的定位再现性。

该系统通过ASML的极紫外 (EUV) NXE 系统提供了改进的交叉匹配性能 。它不错在产物叠加上已矣 2.5 nm 交叉匹配。标线台配备了增强型夹具，不仅进步了系统的可靠性，还进步了遮蔽层的可靠性。ORION 瞄准传感器可提供更高的瞄准测量精度和增强的经由慎重性，异日可升级至 12 色形状。

液位传感器 (UVLS-2) 使用紫外线来最大限制地裁减系统在晶圆名义在线测绘经由中对工艺堆栈变化的明锐度。该传感器具有更高的测量密度，可在晶圆边际已矣更高的调平精度。

TWINSCAN NXT:2100i 是TWINSCAN NXT:2050i的后继产物。其新的硬件和软件更动使单机遮蔽率进步了 10% (0.9 nm)，匹配机遮蔽率进步了 13% (1.3 nm)。每小时晶圆产量为295片。

NXT:2100i 承袭了新的镜头畸变主宰器 ，为芯片制造商提供了前所未有的矫正才略。它使系统粗略改善 DUV-EUV 交叉匹配叠加。

通过将 4 色测量增多到 12 色以及在晶圆测量侧添加更多瞄准象征测量，不错进步瞄准精度。各式软件算法也已更新，以提供改进的场间和场内叠加规章。

其他高出包括改进分划板的热调度，从而裁减分划板之间的温度变化，以及新的集成传感器单位，以进步透镜计量和分划板瞄准精度。

这些更动将改进产物上的遮蔽，从而进步使用深紫外 (DUV) 和极紫外 (EUV) 光刻系统印刷的内存和逻辑芯片的产量。

02

DUV光刻，挽回了摩尔定律

2000年代初，芯片行业一直极力于于从193纳米氟化氩（ArF）光源光刻工夫过渡到157纳米氟（F 2）光源光刻工夫。就像艺术家但愿用细线笔代替标记笔来绘图更精准、更驻扎的图片相似，这种向更小波长的紧要漂浮是业界但愿连接减弱晶体管并在芯片上已矣更多规划才略和存储功能的但愿。然则，出东说念主猜想的事态发展讲解了将工程推向极限的风险，但物理定律并不甘愿。

当第一个 157 纳米光刻系统的工程遐想完成时，承袭氟化钙透镜算作这些系统中的新式光学器件被认为具有挑战性但又可行。然则，本体原型光刻系统的成像执行揭示了显赫的双折射效应。更倒霉的是，这种效应是氟化钙固有的，远远超出了成像规格。由于彰着的光刻阶梯图似乎也曾堕入停滞，芯片行业堕入了逆境。

2001 年 12 月，ASML 臆测员 Jan Mulkens（现为ASML Fellow）参加了在好意思国举行的 157 纳米光刻行业会议，行业专科东说念主士都聚一堂，共同细目前一步可能收受的门径。他们的辩论集会在在镜头下添加一层清白水以进步折柳率，这是一种光学舒适，由显微镜前驱 Robert Hooke 和Antoni van Leeuwenhoek发轫发现并应用，并在 20 世纪 80 年代初次被 IBM 描摹用于光刻。Jan 和他的共事意志到，这种光学工夫不错进一步膨大 193 纳米光刻工夫，绕过业界试图缔造 157 纳米光刻工夫的进击挑战。此外，通过使用水算作光学流体，总共现存的光学器件、掩模和光刻胶都不错连接使用。这是看护摩尔定律的最好契机 。

Jan 解释说念：“通过高度纯化的水投射光不错打印出彰着更小的芯片特征，神秘顾客介绍因为这种液体不错遐想光学透镜，从而更准确地对晶圆上的细巧图案进行成像。”在光刻机中使用这一旨趣，东说念主们合计很奇怪。水与飞溅、水点和煦泡相干——这真实能在复杂且高精度的成像系统中发达作用吗？” 将可能无法安全可靠地通过软管流动的水引入系统似乎是一项弗成能完成的任务。

回到位于荷兰费尔德霍芬的 ASML 总部后，Jan 组建了一个小团队，肯定竞争敌手很快就会效仿。念念要收拢这个契机，就必须尽快行径。带着高度的进击感，Jan 的团队发轫界说并测试了一些基本的千里浸式见解。“当咱们通过一系列执行和系统架构的见解念念法展示浸没式光刻的基本可行性时，咱们获取了批准，不错与 20 名共事组成的团队将咱们的见解膨大到全尺寸原型系统，”Jan 回忆说念。

据巴勒斯坦电视台14日报道，以色列军队当天空袭加沙地带南部城市拉法多处建筑，造成至少27人死亡。

诚然咱们取得了高大的高出，但浸没式光刻工夫还莫得走出逆境。目前必须为大限制分娩作念好准备。劣势对早期浸入式系统的经济性组成了实在的恫吓，因为在硅晶圆上复制掩模几何图案时的任何劣势都会导致良率亏空（yield loss），而良率亏空（yield loss）是芯片制造商大限制分娩经由中最重要的性能研究。在高速平台上添加一滩水会带来两个新的潜在劣势开头：镜头下可能会酿成气泡，从而裁减成像性能。更倒霉的是，逸出的水点可能会与晶圆上的感光涂层发生弗陈规章的相互作用。通过降速晶圆阶段来放胆系统分娩力并不是一种选拔：这么作念会使系统变得难以承受。

为了更好地了解水坑（puddle）的步履并找到规章它的设施，ASML 的臆测东说念主员再次应用了咱们庸俗的学术聚集。德国特温特大学流体能源学和力学臆测员 Detlef Lohse 西宾插足了盛大时候和元气心灵来加深咱们对浸没式光刻基础物理的了解。这种加深的贯穿引发了咱们的研发团队和高技术供应链的工程创意。该团队减弱了处理决策空间，足以细目一个基本的工程机制：被称为“浸没罩”的光刻系统的这个新部分在终末一个透镜元件周围酿成一个环来规章水坑。“

在接下来的几年里，不错测试基本原型，最好的见解将被工业化，这最终使咱们粗略将晶圆速率进步两倍，同期将劣势率裁减一个数目级，”公司高等副总裁 Jos Benschop 说说念。到 2004 年底，台积电晓谕推出首款承袭咱们早期浸入式系统制造的全功能 90 纳米节点芯片

到 2006 年，咱们推出了 XT:1700Fi，将浸没式光刻工夫引入批量分娩。新系统的数值孔径从 0.93 增多到 1.2，绕过了预浸入拦阻 1.0，并提供了连接减弱晶体管至 65 纳米节点以上的可行路子。该系统破记录的成像性能使芯片制造商粗略将折柳率进步30%，这是几十年来最大的高出，同期系统分娩率进步到每小时122片晶圆，这亦然那时的记录。

随后进行了进一步的改进和新系统，进步了成像性能和系统分娩率，同期使芯片制造商粗略赶上摩尔定律并股东其阶梯图上前发展。

诚然浸没式光刻工夫赫然进步了折柳率，但摩尔定律仍然有增无减。芯片制造商很快意志到，需要更泄漏的成像材干已矣 32 纳米及更高节点的阶梯图。芯片制造商运转尝试各式类型的多重图案工夫，该工夫走漏多个更浮浅的交错图案以创建一个复杂的层图案。

“多重图案化是光刻工夫的根人性改变，”Jos 挑剔说念。“一会儿间，遮蔽范围（而不是成像折柳率）成为已矣减弱的要害参数。多重图案化的特等资本使得进步浸入式系统的分娩率至关重要，以保握收缩资本效益。”这即是咱们运转征战 NXT 平台的原因，它是紧凑型 XT 平台的后继产物。使用磁悬浮晶圆台以及基于编码器而不是干预仪的位置测量系统，该平台粗略以更高的速率更精准地定位平台以及更快的平台交换。在时候即是资产的行业中，咱们粗略将 NXT 平台的速率聚集起来浸没式光刻的折柳率保证了NXT平台的市集份额粗略握续增长，TWINSCAN NXT:1950i于2008年推出，用于32纳米节点的量产，并马上引发了一系列产物的征战用于亚 32 纳米节点的系统，包括 NXT:1960i、NXT:1965i、NXT:1970i 和 NXT:1980i。

目前（截止2023年8月），NXT 平台约占迄今为止已发货的 1，100 多个千里浸式系统的 80%。浸入式系统市集需求处于历史最高水平，瞻望到 2023 年之后仍将保握强劲。咱们早些发布的最新 NXT 浸入式扫描仪NXT:2100i体现了咱们工程师强硬不移地极力于于股东这项工夫上前发展。由于镜头调理系统，它具有下一代成像功能，目前用于人人当先芯片制造商的起先进的芯片节点。总体而言，NXT 浸没式系统的分娩率在当年九年中增多了一倍多，最新的系统每天粗略运行高出 6，000 片晶圆。这关于芯片制造商来说意味着价廉物美。

绝不夸张地说，为了在半导体范围保握竞争力江苏省满意度调查公司，企业需要了解并搪塞行业独有的挑战，即处理工夫复杂性，同期确保制造职守才略。这是经久指令咱们奋力已矣浸没式光刻效果的基本设施，诚然该工夫的挑战跟着时候的推移而不断变化，但咱们对浸没式光刻工夫的分娩力和芯片制造商以及总共这个词行业的承受才略的眷注将保握不变。